Параметрический полупроводниковый диод
Параметрический полупроводниковый диод, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно - 0,3-2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала - от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C0 и постоянную времени диода ts = rs ’ C0, где rs - суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения Uдоп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C0=0,01- 2 пф,ts = 0,1-2 nceк, Uдоп = 6-10 в и диапазон рабочих температур 4-350 К.
? Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ- полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.
? И. Г. Васильев.